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单晶硅各向异性腐蚀的微观动态模拟
引用本文:姚娉,闫卫平,马灵芝,杜立群,郭吉洪.单晶硅各向异性腐蚀的微观动态模拟[J].微纳电子技术,2005,42(6):284-287.
作者姓名:姚娉  闫卫平  马灵芝  杜立群  郭吉洪
作者单位:1. 大连理工大学,电子与信息工程学院,辽宁,大连,116023
2. 大连理工大学微系统研究中心,辽宁,大连,116024
基金项目:国家自然科学基金资助项目(60174034)
摘    要:根据单晶硅各向异性腐蚀的特点,以晶格内部原子键密度为主要因素,温度、腐蚀液浓度等环境因素为校正因子,建立了一个新颖的硅各向异性腐蚀的计算机模拟模型。在VC++开发环境下利用OpenGL技术,实现了硅各向异性腐蚀过程的三维微观动态模拟,为深刻理解硅的各向异性腐蚀过程提供了直观的界面。

关 键 词:各向异性腐蚀  MEMS加工工艺  计算机模拟  OpenGL三维技术
文章编号:1671-4776(2005)06-0284-04
修稿时间:2004年11月21

Anisotropic Etching Micro Dynamic Simulation of Crystalline Silicon
YAO Ping,YAN Wei-ping,MA Ling-zhi,DU Li-qun,GUO Ji-hong.Anisotropic Etching Micro Dynamic Simulation of Crystalline Silicon[J].Micronanoelectronic Technology,2005,42(6):284-287.
Authors:YAO Ping  YAN Wei-ping  MA Ling-zhi  DU Li-qun  GUO Ji-hong
Institution:YAO Ping1,YAN Wei-ping1,MA Ling-zhi2,DU Li-qun2,GUO Ji-hong2
Abstract:A novel computer simulation model has been built for silicon anisotropic etching process. Based on the anisotropic etching characteristic of silicon,this model depends mainly on the bonds density of inner atoms with respect to environment factors such as temperature,concentration of the etchant. With VC and OpenGL,it has accomplished the micro dynamic simulation of silicon anisotropic etching and provided researchers with a vivid interface to the etching process.
Keywords:anisotropic etching  MEMS manufacturing technology  computer simulation  OpenGL
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