Mn掺杂对ZnO∶Mn薄膜结构特性的影响 |
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作者姓名: | 李彤 介琼 张宇 倪晓昌 赵新为 |
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作者单位: | 1. 天津职业技术师范大学电子工程学院,天津,300222 2. 天津职业技术师范大学电子工程学院,天津300222;东京理科大学物理系,日本东京 |
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摘 要: | 利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了一系列不同Mn掺杂的ZnO∶Mn薄膜。结合Raman光谱,XRD谱和SEM分析了ZnO∶Mn薄膜的结构特性。Raman拟合结果显示,在Mn摩尔分数从0增加到5.6%的过程中,ZnO∶Mn薄膜始终保持着六角纤锌矿结构;随着Mn掺杂浓度的增大,437 cm-1和527 cm-1位置上的Raman散射峰出现红移现象,说明Mn掺杂量的增加导致晶格更加无序,缺陷增多;当Mn摩尔分数达到15.8%时,647 cm-1处的Raman散射峰出现,暗示了MnO的产生,同时薄膜结晶质量变差。这一结论也得到了XRD和SEM结果的支持。
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关 键 词: | ZnO Mn 拉曼 稀磁半导体 |
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