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Mn掺杂对ZnO∶Mn薄膜结构特性的影响
作者姓名:李彤  介琼  张宇  倪晓昌  赵新为
作者单位:1. 天津职业技术师范大学电子工程学院,天津,300222
2. 天津职业技术师范大学电子工程学院,天津300222;东京理科大学物理系,日本东京
摘    要:利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了一系列不同Mn掺杂的ZnO∶Mn薄膜。结合Raman光谱,XRD谱和SEM分析了ZnO∶Mn薄膜的结构特性。Raman拟合结果显示,在Mn摩尔分数从0增加到5.6%的过程中,ZnO∶Mn薄膜始终保持着六角纤锌矿结构;随着Mn掺杂浓度的增大,437 cm-1和527 cm-1位置上的Raman散射峰出现红移现象,说明Mn掺杂量的增加导致晶格更加无序,缺陷增多;当Mn摩尔分数达到15.8%时,647 cm-1处的Raman散射峰出现,暗示了MnO的产生,同时薄膜结晶质量变差。这一结论也得到了XRD和SEM结果的支持。

关 键 词:ZnO  Mn  拉曼  稀磁半导体
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