| MgZnO半导体材料光致发光以及共振拉曼光谱研究 |
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| 引用本文： | 王玉超,吴天准,张权林,陈明明,苏龙兴,汤子康. MgZnO半导体材料光致发光以及共振拉曼光谱研究[J]. 发光学报, 2013, 34(9): 1149-1154 |
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| 作者姓名： | 王玉超 吴天准 张权林 陈明明 苏龙兴 汤子康 |
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| 作者单位： | 1. 中山大学理工学院光电材料国家重点实验室,广东广州,510000
2. 中山大学理工学院光电材料国家重点实验室,广东广州510000;香港科技大学物理系,香港 |
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| 基金项目： | 国家"973"计划，国家自然科学基金委重点项目 |
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| 摘 要： | 用分子束外延设备在c面蓝宝石衬底上生长得到高质量Mg x Zn1-x O薄膜。X射线衍射显示,当Mg摩尔分数在0~32.7%范围内时,薄膜保持六方结构,(002)衍射峰半高宽为0.08°~0.12°,薄膜结晶质量与现有报道的最高水平相当。随着薄膜中Mg含量的增加,紫外发光峰由378 nm蓝移至303 nm。对Mg0.108Zn0.892O薄膜变温光致发光光谱的研究发现,束缚激子发光随温度变化存在两个不同的猝灭过程。对不同Mg含量薄膜共振拉曼光谱的研究发现,A1(LO)声子模频移与Mg含量在一定范围内呈线性关系,这为确定Mg x Zn1-x O薄膜中的Mg含量提供了一种简单高效的方法。通过拉曼光谱与X射线衍射对比研究发现,拉曼光谱在确定MgZnO材料相变时具有更高的灵敏度。最后,研究了Mg0.057Zn0.943O薄膜的变温共振拉曼光谱,对A1(LO)和A1(2LO)声子模随温度而变化的现象给出了一定的理论解释。
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| 关 键 词： | MgxZn1-xO 分子束外延 X射线衍射 光致发光 共振拉曼光谱 |
Study of MgZnO Semiconductor Materials Using Photoluminescence and Resonance Raman Spectroscopy |
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| WANG Yu-chao , WU Tian-zhun , ZHANG Quan-lin , CHEN Ming-ming , SU Long-xing , TANG Zi-kang. Study of MgZnO Semiconductor Materials Using Photoluminescence and Resonance Raman Spectroscopy[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2013, 34(9): 1149-1154 |
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| Authors: | WANG Yu-chao WU Tian-zhun ZHANG Quan-lin CHEN Ming-ming SU Long-xing TANG Zi-kang |
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| Affiliation: | WANG Yu-chao;WU Tian-zhun;ZHANG Quan-lin;CHEN Ming-ming;SU Long-xing;TANG Zi-kang;Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies,School of Physics and Engineering,Sun Yat-Sen University;Department of Physics,Hong Kong University of Science and Technology; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MgxZn1-xO P-MBE X-ray diffraction photoluminescence resonance Raman spectroscopy |
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