| In含量对InGaN/GaN LED光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 李国斌,陈长水,刘颂豪. In含量对InGaN/GaN LED光电性能的影响[J]. 发光学报, 2013, 34(9): 1233-1239 |
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| 作者姓名： | 李国斌 陈长水 刘颂豪 |
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| 作者单位： | 华南师范大学信息光电子科技学院广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室,广东广州,510631 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，广东省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 运用软件模拟和理论计算的方法分析了In含量对发光二极管光电性能的影响,研究了In含量与光谱功率密度、量子阱中载流子的浓度、辐射速率、发光功率等之间的关系。分析结果表明:电子泄漏与能带填充是影响光电性能的主要原因。当In含量较低时,随着电流密度增大(<8 kA/cm2),光谱发生蓝移程度相对较小,但电流密度太大(>8 kA/cm2)会造成电子泄漏,发光功率降低;而当In含量较高时,随着电流密度增大,光谱发生蓝移程度相对较大,但在电流密度较大时,会获得较高的发光功率。因此,为了使InGaN/GaN发光二极管获得最大量子效率与发光效率,应该根据电流密度的大小(8 kA/cm2)来选择In含量的高低。
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| 关 键 词： | In含量 效率下降 数值模拟 InGaN/GaN发光二极管 |
The Effects of In Content on The LED Photoelectric Performance InGaN/GaN |
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| LI Guo-bin , CHEN Chang-shui , LIU Song-hao. The Effects of In Content on The LED Photoelectric Performance InGaN/GaN[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2013, 34(9): 1233-1239 |
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| Authors: | LI Guo-bin CHEN Chang-shui LIU Song-hao |
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| Affiliation: | LI Guo-bin;CHEN Chang-shui;LIU Song-hao;Laboratory of Nanophotonic Functional Materials and Devices,School for Information and Optoelectronic Science and Engineering,South China Normal University; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | In concentration efficiency droop numerical simulate InGaN/GaN LED |
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