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基于a-IGZO TFT的AMOLED像素电路稳定性的仿真研究
引用本文:贾田颖,詹润泽,董承远.基于a-IGZO TFT的AMOLED像素电路稳定性的仿真研究[J].发光学报,2013,34(9):1240-1244.
作者姓名:贾田颖  詹润泽  董承远
作者单位:上海交通大学电子信息与电气工程学院电子工程系,上海,200240
基金项目:国家自然科学基金重点项目
摘    要:非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)有望在有源矩阵有机发光显示(AMOLED)像素电路中得到实际应用,但其电压偏置效应仍会引起电路特性的不稳定。本文利用实验室制备的a-IGZO TFT器件进行参数提取并建立了SPICE仿真模型,通过拟合得到了它的阈值电压随时间变化的方程。在此基础上,采用SPICE软件对基于a-IGZO TFT的2T1C和3T1C两种AMOLED像素电路的稳定性进行了比较研究,证明3T1C电路对阈值电压偏移确实存在一定的补偿效果。最后讨论了进一步改善AMOLED像素电路稳定特性的方法和实际效果。

关 键 词:非晶铟镓锌氧化物  AMOLED  薄膜晶体管  像素电路

Simulation of The Stability of a-IGZO TFT-OLED Pixel Circuits
JIA Tian-ying , ZHAN Run-ze , DONG Cheng-yuan.Simulation of The Stability of a-IGZO TFT-OLED Pixel Circuits[J].Chinese Journal of Luminescence,2013,34(9):1240-1244.
Authors:JIA Tian-ying  ZHAN Run-ze  DONG Cheng-yuan
Institution:JIA Tian-ying;ZHAN Run-ze;DONG Cheng-yuan;Department of Electronic Engineering,School of Electronic Information and Electric Engineering,Shanghai Jiaotong University;
Abstract:
Keywords:a-IGZO  AMOLED  TFT  pixel circuit
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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