| DY-2001A型纳米级电子束曝光机中静电偏转器的设计 |
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| 引用本文： | 刘珠明,顾文琪,李艳秋.DY-2001A型纳米级电子束曝光机中静电偏转器的设计[J].微细加工技术,2004(1):23-27,46. |
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| 作者姓名： | 刘珠明 顾文琪 李艳秋 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院,电工研究所,北京,100080;中国科学院,研究生院,北京,100039
2. 中国科学院,电工研究所,北京,100080 |
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| 基金项目： | 中科院知识创新工程重大项目资助(KGCX1-Y-8) |
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| 摘 要： | 基于纳米曝光要求和JSM-35CF型扫描电镜,设计了一组上下偏转器长度不一致的静电偏转器,使偏转灵敏度大大提高.采用二阶有限元法计算了八极静电偏转器的轴上场分布.高精度的场分布有利于高级像差.为了使系统的总体像差最小,结合具体电子光学系统,用最小二乘法对偏转器的激励强度、转角及其在系统中的位置进行优化,得到直至五级分量的像差.动态校正后,偏转场为80μm×80μm时,束斑分辨率约为3.2 am;偏转场大小为1 mm×1 mm时,束斑分辨率约为29.8 nm.结果表明,应用该组静电偏转器的电子光学系统的分辨率满足纳米曝光的要求.
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| 关 键 词： | DY-2001A型 纳米级电子束曝光机 静电偏转器 设计 二阶有限元 光刻技术 |
| 文章编号： | 1003-8213(2004)01-0023-05 |
Design of Electrostatic Deflectors Applied in DY-2001A Electron Beam Lithography System |
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| LIU Zhu-ming.Design of Electrostatic Deflectors Applied in DY-2001A Electron Beam Lithography System[J].Microfabrication Technology,2004(1):23-27,46. |
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| Authors: | LIU Zhu-ming |
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| Institution: | LIU Zhu-ming~ |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | electrostatic deflector second-order finite element optimization aberrations |
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