| 4H-SiC n-MOSFET的高温特性分析 |
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| 引用本文： | 徐静平,李春霞,吴海平.4H-SiC n-MOSFET的高温特性分析[J].物理学报,2005,54(6):2918-2923. |
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| 作者姓名： | 徐静平 李春霞 吴海平 |
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| 作者单位： | 华中科技大学电子科学与技术系,武汉 430074 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(批准号: 60176030)资助的课题. |
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| 摘 要： | 通过考虑迁移率和阈值电压随温度的变化关系，模拟分析了4H-SiC n-MOSFET高温下的电学 特性，模拟结果与实验有较好的符合.并进一步讨论了主要结构参数和工艺参数对高温电特 性的影响及其最佳取值.
关键词：
n-MOSFET
4H-SiC
迁移率
阈值电压
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| 关 键 词： | n-MOSFET 4H-SiC 迁移率 阈值电压 |
| 文章编号： | 1000-3290/2005/54(06)2918-06 |
| 收稿时间： | 8/2/2004 12:00:00 AM |
Analyses on high-temperature electrical properties of 4H-SiC n-MOSFET |
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| XU Jing-ping,LI Chun-xia,WU Hai-ping.Analyses on high-temperature electrical properties of 4H-SiC n-MOSFET[J].Acta Physica Sinica,2005,54(6):2918-2923. |
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| Authors: | XU Jing-ping LI Chun-xia WU Hai-ping |
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| Abstract: | High-temperature electrical properties of 4H-SiC n-MOSFET are simulated and anal yzed by considering changes of mobility and threshold voltage with temperature. The simulated results are in good agreement with experimental data. Further mor e, influences of main structural and technological parameters on high-temperatur e electrical properties of devices are discussed for obtaining optimum values o f these parameters. |
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| Keywords: | n-MOSFET 4H-SiC mobility threshold voltage |
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