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外延生长的Gd掺杂CeO2薄膜内位错的透射电子显微学表征
引用本文:宋克鹏,杜奎,叶恒强.外延生长的Gd掺杂CeO2薄膜内位错的透射电子显微学表征[J].电子显微学报,2015(1).
作者姓名:宋克鹏  杜奎  叶恒强
作者单位:中国科学院金属研究所 沈阳材料科学国家 联合 实验室,辽宁 沈阳,110016
基金项目:国家自然科学基金项目资助项目(Nos.51371177,51221264).
摘    要:利用脉冲激光沉积( pulsed laser depositon, PLD)方法在YSZ( Y2 O3 stabilised zirconia)单晶衬底上外延生长了Gd掺杂的CeO2薄膜(gadolinium doped CeO2,GDC)。利用透射电子显微镜(TEM)对GDC/YSZ界面以及GDC薄膜内部的位错结构进行了表征。实验发现,界面处存在周期性分布的失配位错,界面失配主要通过失配位错释放。 GDC薄膜内部存在两种不同的位错,其中一种为纯刃型位错,另外一种为混合型位错。

关 键 词:固体氧化物燃料电池  外延生长  GDC  位错  高分辨透射电子显微像

Transmission electron microscopy characterization of dislocations in epitaxial gadolinia-doped ceria films
SONG Kepeng,DU Kui,YE Hengqiang.Transmission electron microscopy characterization of dislocations in epitaxial gadolinia-doped ceria films[J].Journal of Chinese Electron Microscopy Society,2015(1).
Authors:SONG Kepeng  DU Kui  YE Hengqiang
Abstract:
Keywords:solid oxide fuel cells  epitaxial  GDC  dislocations  HRTEMs
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
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