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| DOE技术在低电压CMOS晶体管中的质量控制 | |
| 引用本文： | 张霞,言 智,郑 祺,徐士美,童庆强. DOE技术在低电压CMOS晶体管中的质量控制[J]. 电子器件, 2014, 37(6) |
| 作者姓名： | 张霞 言 智 郑 祺 徐士美 童庆强 |
| 作者单位： | 1. 上海工程技术大学材料工程学院,上海,201620 2. 上海贝岭股份有限公司,上海,200233 3. 上海华力微电子有限公司,上海,201203 |
| 基金项目： | 上海高校一流学科(培育)基金项目，国家自然科学基金青年科学基金项目 |
| 摘 要： | 采用DOE(Design of Experiment)试验方法进行了CMOS晶体管工艺流片的分卡操作,研究18个样品的Vt区注入Dvt、N场注入DNF、TEMP注入DP这3种注入剂量变化的情形下阈值电压Vtn和Vtp的调控优化值。通过最大跨导法测试阈值电压Vtn和Vtp,考查3种注入剂量对Vtn和Vtp的影响趋势,发现Dvt和DNF直接决定Vtn,Dvt和DP直接决定Vtp。结果表明,Vtn为0.082 V~0.600 V,关系式为Vtn=0.15791Dvt+0.12320DNF+0.11433;Vtp为0.0535 V~0.6300 V,关系式为V2tp=-0.03077D2vt-0.01688D2P+0.71899。 |
| 关 键 词： | CMOS晶体管 阈值电压 DOE 注入剂量 |
The quality control of DOE technology in low threshold |
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| ZHANG Xia,YUAN Chenchen,ZHENG Qi,XU Shimei,TONG Qingqiang. The quality control of DOE technology in low threshold[J]. Journal of Electron Devices, 2014, 37(6) | |
| Authors: | ZHANG Xia YUAN Chenchen ZHENG Qi XU Shimei TONG Qingqiang |
| Abstract: | |
| Keywords: | CMOS transistor threshold voltage DOE implant doses |
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