| Sm掺杂Bi4Ti3O12陶瓷晶体结构及电性能的研究 |
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| 引用本文： | 王瑾菲,蒲永平,杨公安,庄永勇,杨文虎,毛玉琴. Sm掺杂Bi4Ti3O12陶瓷晶体结构及电性能的研究[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(4): 866-869 |
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| 作者姓名： | 王瑾菲 蒲永平 杨公安 庄永勇 杨文虎 毛玉琴 |
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| 作者单位： | 陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室,西安,710021;陕西科技大学材料科学与工程学院,西安,710021;陕西科技大学材料科学与工程学院,西安,710021;陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室,西安,710021 |
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| 基金项目： | 教育部科学技术研究重点项目，陕西省教育厅专项科研基金，国家自然基金项目，陕西科技大学研究生创新基金 |
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| 摘 要： | 采用固相反应工艺制备了Sm3+掺杂层状结构无铅Bi4-xSmxTi3O12(x=0.00,0.25,0.50,0.75,1.00,1.25)介电陶瓷.利用XRD、SEM等测试方法研究了Sm掺杂量、烧结温度和保温时间对Bi4-xSmxTi3O12 (BST) 陶瓷晶体结构及电性能的影响.结果表明:所制备的Bi4-xSmxTi3O12陶瓷均具有单一正交相结构,BST陶瓷表面晶粒的显微形貌表现为随机排列的棒状结构.样品的铁电性能测试表明,Sm3+施主掺杂明显降低了BIT的电导率,随着Sm3+含量的增加,Sm3+逐渐有部分取代B位,由于Sm3+取代Ti4+大大降低了氧空位的浓度,使得氧空位对电畴的钉扎作用减弱,并且材料的剩余极化Pr也相应提高.
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| 关 键 词： | 固相反应 Bi4Ti3O12 Sm掺杂 介电性能 晶体结构, |
Investigation on Crystal Structure and Electrical Properties of Sm-doped Bi_4Ti_3O_(12) Ceramics |
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| WANG Jin-fei,PU Yong-ping,YANG Gong-an,ZHUANG Yong-yong,YANG Wen-hu,MAO Yu-qin. Investigation on Crystal Structure and Electrical Properties of Sm-doped Bi_4Ti_3O_(12) Ceramics[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2009, 38(4): 866-869 |
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| Authors: | WANG Jin-fei PU Yong-ping YANG Gong-an ZHUANG Yong-yong YANG Wen-hu MAO Yu-qin |
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| Affiliation: | 1.Key Laboratory of Auxiliary Chemistry & Technology for Chemical Industry;Ministry of Education;Shaanxi University of Science and Technology;Xi'an 710021;China;2.School of Materials Science and Engineering;China |
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| Abstract: | Sm3+-doped layer-structured lead-free dielectric ceramics Bi4-xSmxTi3O12(x= 0.00,0.25,0.50,0.75,1.00,1.25)were prepared by the solid reaction technology.The crystal structure and electrical properties of Bi4-xSmxTi3O12 materials were characterized by XRD,SEM,and so on.The results indicated that Bi4-xSmxTi3O12 material has a single orthorhombic structure.The grain surfaces reveal a rod-like structure.Dielectric constants of Bi4-xSmxTi3O12 ceramics increase by Sm3+ doping.Sm3+ doping Bi4Ti3O12 ceramics result... |
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| Keywords: | Bi4Ti3O12 |
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