|
|||||
|
|
| 用于砷化镓化功MESFET器件的优质多层汽相外延材料的制备 | |
| 引用本文： | 吕云安,刘玉兰.用于砷化镓化功MESFET器件的优质多层汽相外延材料的制备[J].半导体情报,1990(2):92-94,88. |
| 作者姓名： | 吕云安 刘玉兰 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 砷化镓 MESFET 材料 制备 汽相外延 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |