| 2003年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(5) |
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| 引用本文： | 信息产业部电子第五研究所赛宝信息研究中心.2003年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(5)[J].电子产品可靠性与环境试验,2004(5):61-63. |
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| 作者姓名： | 信息产业部电子第五研究所赛宝信息研究中心 |
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| 作者单位： | 信息产业部电子第五研究所赛宝信息研究中心 |
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| 摘 要： | 74.超薄氧化中击穿传导路径的缺陷生成引发磨损的证据(EvidenceforDefect-Generation-DrivenWear-outofBreakdownConductionPathinUltraThinOxides)--2003InternationalReliabilityPhysicsSymposiumpp.424-431.考虑了引起超薄(Tox<2.5nm)氧化上经常测量到的渐进(即平滑或噪声noisy)击穿现象的物理机理。首先,它验证了此前发表的理论是与凸现较厚氧化层(5.0nm)预测的渐进行为有关。第二,功耗并不表现出与渐进行为相关,但它可影响失效及其发生。最后,渐进性受栅电压和温度的驱动,表现为缺陷生成概率在其发生后推动击穿退化。这一点通过…
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2003 International Reliability Physics Symposium |
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