| Zn取代Cu对CCTO陶瓷高、低频介电性能的影响 |
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| 引用本文： | 程花蕾,肖健
高鹏
严云云
周万城.Zn取代Cu对CCTO陶瓷高、低频介电性能的影响[J].压电与声光,2016,38(6):956-960. |
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| 作者姓名： | 程花蕾 肖健
高鹏
严云云
周万城 |
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| 作者单位： | 1.宝鸡文理学院 化学与化工学院 陕西省植物重点实验室，陕西 宝鸡 721013；2.西北工业大学 凝固技术国家重点实验室，陕西 西安 710072 |
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| 基金项目： | 宝鸡文理学院重点基金资助项目(ZK15044)；陕西省教育厅专项基金资助项目(15JK1021)；国家青年科学基金资助项目(21501007) |
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| 摘 要： | 采用传统固相法制备了CaCu_((3-x))Zn_xTi_4O_(12)(CCTO,x=0,0.04,0.08,0.12)陶瓷。用X线衍射仪和扫描电子显微镜研究了Zn~(2+)掺杂含量的变化对CaCu_((3-x))Zn_xTi_4O_(12)陶瓷的相结构、微观形貌的影响规律,并研究了CaCu_((3-x))Zn_xTi_4O_(12)陶瓷的低、高频介电性能。结果表明,少量Zn~(2+)的加入影响CaCu_((3-x))Zn_xTi_4O_(12)陶瓷的相结构和微观形貌。在低频范围内,CaCu_((3-x))Zn_xTi_4O_(12)陶瓷均具有巨介电常数(>104),且CaCu_(2.92)Zn_(0.08)Ti_4O_(12)陶瓷的介电常数温度依赖性小,介电损耗最小,这加速了CCTO陶瓷在陶瓷电容器方向应用的潜力。在微波频段(5.85~8.2GHz)范围内,CaCu_((3-x))Zn_xTi_4O_(12)陶瓷均具有介电弛豫现象,CaCu_((3-x))Zn_xTi_4O_(12)陶瓷的介电常数实部随掺杂量的增加而减小,介电常数虚部和损耗对应的频率变化趋势与实部一致。
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| 关 键 词： | CaCu3Ti4O12陶瓷 相结构 微观形貌 介电性能 |
Low and Microwave Frequency Dielectric Properties Studies on the CaCu(3-x)ZnxTi4O12 Ceramics |
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| CHENG Hualei,XIAO Jian
GAO Peng
YAN Yunyun
ZHOU Wancheng.Low and Microwave Frequency Dielectric Properties Studies on the CaCu(3-x)ZnxTi4O12 Ceramics[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2016,38(6):956-960. |
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| Authors: | CHENG Hualei XIAO Jian
GAO Peng
YAN Yunyun
ZHOU Wancheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CaCu3Ti4O12 ceramics phase structure microstructure dielectric properties |
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