| 一种控制硅深刻蚀损伤方法的研究 |
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| 引用本文： | 阮勇,叶双莉,张大成,任天令,刘理天.一种控制硅深刻蚀损伤方法的研究[J].微纳电子技术,2007,44(7):37-39. |
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| 作者姓名： | 阮勇 叶双莉 张大成 任天令 刘理天 |
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| 作者单位： | 1. 清华大学,微电子所,微/纳器件与系统实验室,北京,100084
2. 北京大学,微电子研究院,北京,100871 |
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| 基金项目： | 感谢北京大学微米/纳米微加工重点实验室李婷和王颖老师的讨论和帮助. |
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| 摘 要： | 提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法。该方法在硅的侧壁PECVD淀积SiO2，硅的底部采用热氧化的方法形成SiO2。由于在刻蚀中硅与SiO2的刻蚀选择比为120∶1-125∶1，因此SiO2层可以抑制在硅-玻璃结构的刻蚀中出现的lag和footing效应，扫描电镜结果也证明，采用改进工艺后的硅结构在经过长时间的过刻蚀后仍然保持了完整性。硅陀螺测试结果也证明了改进工艺的正确性。
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| 关 键 词： | 微电子机械系统 硅-玻璃阳极键合 硅深刻蚀 刻蚀损伤 |
| 文章编号： | 1671-4776（2007）07/08-0037-03 |
| 修稿时间： | 2007-04-02 |
Study on Methods to Protect Silicon Microstructures from the Damages in Deep Reactive Ion Etching |
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| RUAN Yong,YE Shuang-li,ZHANG Da-cheng,REN Tian-ling,LIU Li-tian.Study on Methods to Protect Silicon Microstructures from the Damages in Deep Reactive Ion Etching[J].Micronanoelectronic Technology,2007,44(7):37-39. |
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| Authors: | RUAN Yong YE Shuang-li ZHANG Da-cheng REN Tian-ling LIU Li-tian |
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| Institution: | 1. Micro/Nano Devices and Systems Division, Institute of Microelectronics , Tsinghua University, Beijing 100084, China; 2. Institute of Microelectronics , Peking University, Beij ing 100871, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MEMS silicon-glass anodic bonding silicon DRIE etching damage |
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