| 氧化铱膜修饰微电极的制备及痕量砷(Ⅲ)测定 |
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| 作者姓名： | 杜亚琳 李建平 |
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| 作者单位： | 桂林工学院,材料与化学工程系,广西,桂林,541004;桂林工学院,材料与化学工程系,广西,桂林,541004 |
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| 基金项目： | 广西高校百名中青年骨干教师资助计划项目 , 桂林工学院校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 通过在铱丝尖端电沉积氧化铱,制成氧化铱膜修饰微电极,研究了其电化学性质,测定了电极反应的动力学常数,电极反应的电子转移数为1,电子转移系数0.55,表观电子传递速率为0.1 s-1。在pH 4.5的磷酸缓冲溶液中,氧化铱膜修饰微电极对As(Ⅲ)的氧化有明显催化作用,可用于痕量As(Ⅲ)的测定,氧化峰电位为0.62 V。峰电流与As(Ⅲ)的浓度在5×10-8~8×10-5mol/L范围呈良好的线性关系,检出限5×10-9mol/L,响应时间小于1 s。该电极制作简单,稳定性和重复性好,已用于实际样品分析。
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| 关 键 词： | 氧化铱 修饰微电极 砷(Ⅲ) |
| 文章编号： | 1004-4957（2007）03-0397-04 |
| 收稿时间： | 2006-05-15 |
| 修稿时间： | 2006-08-25 |
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