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| 基于MOSFET的正向幅度高压脉冲信号源设计 | |
| 引用本文： | 丁明军,贾兴,于治国,李玺钦.基于MOSFET的正向幅度高压脉冲信号源设计[J].高能量密度物理,2009(2). |
| 作者姓名： | 丁明军 贾兴 于治国 李玺钦 |
| 作者单位： | 中国工程物理研究院流体物理研究所107室,四川绵阳621900 |
| 摘 要： | 利用MOSFET导通过程中的线性控制特性实现对脉冲输出前沿的控制，使输出脉冲前沿为类正弦波；利用低输出阻抗驱动信号源实现栅极电容电荷的快速泄放，从而实现MOSFET的快速关断，使得脉冲源输出脉冲后沿陡降。电路设计巧妙地实现了缓升快降脉冲的产生，设计的高压信号源最大输出脉冲幅度可达800V。 |
| 关 键 词： | 功率MOSFET 高压脉冲 信号源 栅极电阻 |
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