| 利用电泳法在金属基底上制备MgB2超导厚膜 |
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| 引用本文： | 王淑芳,朱亚斌,张芹,刘震,周岳亮,陈正豪,吕惠宾,杨国桢. 利用电泳法在金属基底上制备MgB2超导厚膜[J]. 物理学报, 2003, 52(6) |
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| 作者姓名： | 王淑芳 朱亚斌 张芹 刘震 周岳亮 陈正豪 吕惠宾 杨国桢 |
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| 作者单位： | 中国科学院物理研究所光物理开放实验室,北京,100080 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究专项经费 (批准号 :19990 6460 4)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 利用电泳技术在高熔点金属基底Ta,Mo和W上制备MgB2 超导厚膜 .厚膜中的MgB2 晶粒结合紧密 ,粒度小于1μm ,呈随机取向生长 .电阻测量表明沉积在Ta ,Mo,W上的MgB2 厚膜的超导起始转变温度分别为 3 6.5K ,3 4.8K ,3 3 .4K ,对应的转变宽度为 0 .3K ,1.5K和 2 .0K .三种基底上制备的MgB2 厚膜的临界电流密度在不同温度下随外磁场的变化情况基本相同 ,MgB2 Mo厚膜的临界电流密度在 5K ,1T时可达 1.2× 10 5A cm2 .本工艺可以随意控制膜的厚度、形状、大小 ,也可进行双面沉积 ,且制备出的MgB2 厚膜的超导性能优良 ,为MgB2 超导体的实用化提供了可能
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| 关 键 词： | MgB2超导厚膜 电泳 金属基底 |
MgB2 thick films grown on metal substrates using the electrophoresis technique |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MgB 2 thick films electrophoresis metal substrates |
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