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CaCu3Ti4O12块材和薄膜的巨介电常数
引用本文:赵彦立,焦正宽,曹光旱.CaCu3Ti4O12块材和薄膜的巨介电常数[J].物理学报,2003,52(6).
作者姓名:赵彦立  焦正宽  曹光旱
作者单位:1. 浙江大学物理系,杭州,310027
2. 浙江大学物理系,杭州,310027;台州学院物理系,临海,317000
基金项目:国家重点基础研究专项经费,国家自然科学基金 (批准号 :10 2 740 70 )资助的课题~~
摘    要:用固相反应法和脉冲激光沉积 (PLD)制备了CaCu3Ti4O1 2 块材和薄膜 ,获得了相对介电常数ε′( 1kHz ,3 0 0K)高于140 0 0的介电特性 ,是目前该体系最好的结果 .报道了 ( 0 0l)取向高质量CaCu3Ti4O1 2 外延薄膜及其介电性质 .CaCu3Ti4O1 2 相对介电常数ε′在 10 0— 3 0 0K温度范围内基本保持恒定 ,稳定性好 .基于跳跃电导模型 ,对CaCu3Ti4O1 2薄膜介电电导的频率依赖关系作了合理解释

关 键 词:CaCu3Ti4O12  巨介电常数  PLD

High dielectric constant in CaCu3Ti4O12 bulk and thin films
Zhao Yan-Li,Jiao Zheng-Kuan,Gao Guang-Han.High dielectric constant in CaCu3Ti4O12 bulk and thin films[J].Acta Physica Sinica,2003,52(6).
Authors:Zhao Yan-Li  Jiao Zheng-Kuan  Gao Guang-Han
Institution:Zhao Yan-Li 1) Jiao Zheng-Kuan 1)2) Gao Guang-Han 1) 1)
Abstract:
Keywords:CaCu  3Ti  4O    12  high dielectric constant  PLD
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