|
|||||
|
|
| 生长在Ge_xSi_（1－x）（001）衬底上应变GaAs层的价电子能带结构与光学性质 | |
| 引用本文： | 徐至中.生长在Ge_xSi_（1－x）（001）衬底上应变GaAs层的价电子能带结构与光学性质[J].物理学报,1996(1). |
| 作者姓名： | 徐至中 |
| 作者单位： | 复旦大学物理系 |
| 摘 要： | 采用紧束缚方法对生长在Ｇｅ_ｘＳｉ_ｌ－ｘ（００１）衬底上的应变ＧａＡｓ层的价电子能带结构和空穴的三次非线性光学极化率ｘ￣（３）进行了计算结果表明，由于应变的存在，使ＧａＡｓ层的空穴有效质量和价带态密度变小，而使偏振方向在（００１）面内的三次非线性光学极化率变大． |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 | |