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| p(a-SiC:H)/i(a-Si:H)异质界面分析 | |
| 引用本文： | 陈之章,韩茂畴,王宗畔,徐温元.p(a-SiC:H)/i(a-Si:H)异质界面分析[J].半导体学报,1986,7(6):608-611. |
| 作者姓名： | 陈之章 韩茂畴 王宗畔 徐温元 |
| 作者单位： | 南开大学电子科学系 (陈之章，韩茂畴，王宗畔)，南开大学电子科学系(徐温元) |
| 摘 要： | 本文讨论Glass/ITO/p(a-SiC:H)/i(a-Si:H)/n(a-Si:H)/Al结构太阳电池中i层C污染对开路电压Voc、填充因子FF、收集长度L_c及收集效率η的影响,并从机理上做了比较详细地分析.我们的实验结果表明:解决好p/i界面问题和减少i层中C的污染是制备出高效率a-SiC:H窗口非晶硅pin结构太阳电池的关键之一. |
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