| VCSOA典型参数特性的电路级分析 |
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| 引用本文： | 李诺晗,潘炜,罗斌.VCSOA典型参数特性的电路级分析[J].固体电子学研究与进展,2004,24(2):233-237. |
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| 作者姓名： | 李诺晗 潘炜 罗斌 |
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| 作者单位： | 西南交通大学计算机与通信工程学院,成都,610031;电子科技大学宽带光纤传输与通信系统技术国家重点实验室,成都,610064;西南交通大学计算机与通信工程学院,成都,610031 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 ( NO.10 1740 5 7)，宽带光纤传输与通信系统技术国家重点实验室开放课题资助 ( NO.2 0 0 2 KF)，四川省应用基础研究项目 ( NO.0 3 JY0 2 9-0 48-1) |
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| 摘 要： | 从新型垂直腔半导体光放大器 ( VCSOA)典型的对称结构出发 ,以半导体光放大器速率方程为基础 ,利用电路级模拟软件 PSPICE,建立了 VCSOA的等效电路模型 ,进而模拟分析 VCSOA特性 ,得出了减小孔径或增大自发辐射因子都可以降低阈值电流、提高弛豫振荡频率、拓宽调制带宽和改善噪声特性的结果。
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| 关 键 词： | 垂直腔半导体光放大器 等效电路模型 自发辐射因子 孔径 |
| 文章编号： | 1000-3819(2004)02-233-05 |
| 修稿时间： | 2003年8月4日 |
Circuit-Level Analysis on the VCSOA Typical Parameter Properties |
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| LI Nuohan , PAN Wei , LUO Bin.Circuit-Level Analysis on the VCSOA Typical Parameter Properties[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2004,24(2):233-237. |
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| Authors: | LI Nuohan PAN Wei LUO Bin |
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| Institution: | LI Nuohan 1,2 PAN Wei 1,2 LUO Bin 1 |
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| Abstract: | From the symmetrical structure the new vertical-cavity semiconductor optical amplify (VCSOA), the VCSOA equivalent circuit model based on the SOA rate equations is established by PSPICE software. Through this model, VCSOA properties are analyzed. The results show that either decreasing aperture or increasing spontaneous emission factor can reduce threshold current, raise relaxation oscillations frequency, spread modulation bandwidth and improve noise performance. |
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| Keywords: | vertical-cavity semiconductor optical amplify equivalent circuit model spontaneous emission factor aperture |
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