|
|||||
|
|
| 硅片氧化中加入少量HCl能改善PN结特性 | |
| 作者单位： | 九·一二电子厂 |
| 摘 要： | 破坏 IPN 结击穿电压的因素很多,但往往和有害杂质密切相关。硅片在高温氧化中,常有各种金属杂质沾污,或硅片本身就含有较高浓度的金属杂质。高温扩散形成 PN 结时,一些杂质会沉积在结上,从而使结特性变劣。若在高温氧化中加入少量 HCl 气体,就会使一些金属杂质生成挥发性的氯化物,一方面可消除高温下炉管辐射出来的金属原子,同时,对硅中原含有害金属杂质还有某些提取作用。因此,加入 HCl 进行氧化可望改善因金属沾 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |