| 巨磁电阻锰氧化物材料的低温电阻率行为的研究 |
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| 引用本文： | 王新峰.巨磁电阻锰氧化物材料的低温电阻率行为的研究[J].低温物理学报,2008,30(3). |
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| 作者姓名： | 王新峰 |
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| 作者单位： | 山东理工大学物理与光电信息技术学院,山东,淄博,255049 |
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| 摘 要： | 对巨磁电阻锰氧化物材料La2/3Ca1/3MnO3/YSZ(钇稳定氧化锆)(LCMO/YSZ)系列样品低温下电阻率行为进行研究,低温下电阻率行为一般是ρ=ρ0 ATa BTb的形式,其中ρ0为剩余电阻率,a=2或3/2,b=5或9/2.T2代表电子-电子散射项,T3/2代表被无序自旋玻璃散射的电子项,T6代表电子.声子散射项,Tθ/2们代表电子-双磁子散射项.在此指出b=5是合理的,代表电子-声子散射项.
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| 关 键 词： | 巨磁电阻 低温电阻率 电子-声子散射 |
STUDY ON THE LOW TEMPERATURE ELECTRICAL RESISTIVITY OF COMPOSITE MANGANITES |
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| WANG Xin-feng.STUDY ON THE LOW TEMPERATURE ELECTRICAL RESISTIVITY OF COMPOSITE MANGANITES[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2008,30(3). |
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| Authors: | WANG Xin-feng |
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