| 提高DC-DC变换器效率用高单元密度屏蔽栅功率MOSFET |
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| 引用本文： | Ritu Sodhi,Ashok Challa,Jon Gladilh,Steven Sapp,Chris Rexer,冯幼明,王传敏.提高DC-DC变换器效率用高单元密度屏蔽栅功率MOSFET[J].电力电子,2010(5). |
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| 作者姓名： | Ritu Sodhi Ashok Challa Jon Gladilh Steven Sapp Chris Rexer 冯幼明 王传敏 |
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| 作者单位： | 北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司; |
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| 摘 要： | 本文介绍了飞兆半导体公司最新开发的高单元密度、屏蔽栅功率MOSFET的结构。这种屏蔽栅结构有助于建立电荷平衡,从而减少MOSFET的通态电阻和栅电荷。这种新技术能使通态电阻比前一代减少50%以上。为进一步改善器件特性,一种肖特基器件也被单片集成在这种新型MOSFET中,使得反向恢复电荷减少了将近20%。上述措施直接减小了在高频、大电流和高输入电压下非常关键的体二极管损耗。该新型器件在典型的同步降压变换器应用中,能提供1.5%的最高效率改进。
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| 关 键 词： | 单片集成 屏蔽栅 功率 恢复电荷 肖特基二极管 电荷平衡 降压变换器 器件仿真 屏蔽电阻 密度 |
High cell-density,shielded-gate power MOSFET for improved DC-DC converter efficiency |
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| Ritu Sodhi,Ashok Challa,Jon Gladilh,Steven Sapp , Chris Rexer.High cell-density,shielded-gate power MOSFET for improved DC-DC converter efficiency[J].Power Electronics,2010(5). |
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| Authors: | Ritu Sodhi Ashok Challa Jon Gladilh Steven Sapp Chris Rexer |
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| Institution: | Ritu Sodhi,Ashok Challa,Jon Gladilh,Steven Sapp and Chris Rexer |
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