高辐射率发光二极管(LED)的老化机理

研究了长时间的工作对小面积高辐射率GaAs LED特性的影响。考察了室温与高温(直到215℃)两种条件下工作的悄况,使用的电流密度在10~2安培·厘米~(-2)到1.5×10~5安培·厘米~(-2)范围内。发现了三种老化方式并讨论了他们的影响和可能的起源。预计那些在工作中保持透明的器件具有接近10~7小时的室温寿命。在一次持续室温寿命试验中一些器件在连续工作20000小时之后仅有微不足道的老化。 发现具有暗结构的器件衰减得比预计的室温半寿命(在10~4～10~5小时之间的快得多。描绘了多种类型的暗结构并提出了一种<110>暗线缺陷的生长机理。