| 氮化硅/钽硅X射线光刻掩模研制及应用 |
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| 引用本文： | 谢常青,牛洁斌,王德强,董立军,陈大鹏,伊福廷,张菊芳.氮化硅/钽硅X射线光刻掩模研制及应用[J].中国物理 C,2005,29(Z1):140-143. |
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| 作者姓名： | 谢常青 牛洁斌 王德强 董立军 陈大鹏 伊福廷 张菊芳 |
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| 作者单位： | 1 中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室 北京 100029;2 中国科学院高能物理研究所 北京 100049 |
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| 摘 要： | 经过三十多年的研发, 接近式X射线光刻技术已经非常成熟,其具有分辨率高、焦深大、工艺宽容度大、产量高等诸多优点.对于X射线掩模吸收体材料, 如果选择金, 只能采用电镀工艺, 而且金会污染硅基集成电路；而钽硅材料可以采用干法刻蚀工艺, 不会污染硅基集成电路, 是一种理想的X射线掩模吸收体材料.本文论述了氮化硅/钽硅X射线掩模制作工艺, 不同于常规工艺, 电子束光刻显影后, 以ZEP520电子束光刻胶作为阻挡层,SF6/CHF3作为反应气体, 电感耦合等离子体直接刻蚀钽硅薄膜.初步的实验结果证明了这种X射线掩模制作工艺是可行的.
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| 关 键 词： | 接近式X射线光刻 X射线掩模 钽硅薄膜 电感耦合等离子体 同步辐射 |
| 收稿时间： | 2005-10-31 |
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