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| 分布布拉格反射器(DBR)对半导体微腔一些特性的影响 | |
| 引用本文： | 刘宝利,王炳燊,徐仲英.分布布拉格反射器(DBR)对半导体微腔一些特性的影响[J].半导体学报,2001,22(3):335-339. |
| 作者姓名： | 刘宝利 王炳燊 徐仲英 |
| 作者单位： | [1]中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室，北京100083 [2]中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;19774045; |
| 摘 要： | 从光学传输矩阵方法出发 ,研究了分布布拉格反射器 (DBR)生长顺序的不同对半导体平面微腔中电场振幅极大值位置及整个微腔选频特性的影响 ;同时指出了 DBR对于λ0 / 2和λ0 腔不同情况的最佳生长模式 |
| 关 键 词： | 半导体平面微腔 光学传输矩阵 |
| 文章编号： | 0253-4177（2001）03-0335-05 |
| 修稿时间： | 2000年1月5日 |
Effects of DBR on Properties of Semiconductor Microcavity |
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| LIU Bao li,WAGN Bing shen and XU Zhong ying.Effects of DBR on Properties of Semiconductor Microcavity[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(3):335-339. | |
| Authors: | LIU Bao li WAGN Bing shen and XU Zhong ying |
| Abstract: | |
| Keywords: | semiconductor planar microcavity transfer matrix |
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