| 含噻吩环恶二唑衍生物的合成及电化学性能研究 |
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| 引用本文： | 张志明,李国文.含噻吩环恶二唑衍生物的合成及电化学性能研究[J].高等学校化学学报,2000,21(11):1719-1722. |
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| 作者姓名： | 张志明 李国文 |
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| 作者单位： | 吉林大学超分子结构与谱学开放实验室,长春 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金! (批准号 :5 9790 5 0 6 )资助 |
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| 摘 要： | 合成了新的化合物２，５－双「２，２′－双（５－取代苯基）－１，３，４－恶二唑」噻吩（Ｒ－ＯＸＤ）（Ｒ＝Ｈ，ＣＨ３Ｏ，ＣＨ３，Ｆ，ＣＮ），用＾１Ｈ ＮＭＲ和元素分析对其进行了表征，同时，采用循环伏安法对其电化学性能进行了测试。结果表明，除了Ｆ－ＯＸＤ外，这一系列化合物的电子亲和势高于常用电子传输材料ＰＢＤ，说明它们的电子传输材料性能优良。
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| 关 键 词： | 噻吩 恶二唑衍生物 电子亲和势 电离势 |
Studies on Synthesis and Electrochemical Activity of Oxadiazole Derivatives Incorporting Thiophene Ring |
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| ZHANG Zhi-Ming,LI Guo-Wen,MA Yu-Guang,WU Fang,TIAN Wen-Jing,SHEN Jia-Cong.Studies on Synthesis and Electrochemical Activity of Oxadiazole Derivatives Incorporting Thiophene Ring[J].Chemical Research In Chinese Universities,2000,21(11):1719-1722. |
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| Authors: | ZHANG Zhi-Ming LI Guo-Wen MA Yu-Guang WU Fang TIAN Wen-Jing SHEN Jia-Cong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Thiophene Oxadiazole derivatives Electron affinity |
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