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| 1064nm应变量子阱的理论设计 | |
| 引用本文： | 赵段力,廖柯,吕坤颐.1064nm应变量子阱的理论设计[J].江西通信科技,2009(3):45-48. |
| 作者姓名： | 赵段力 廖柯 吕坤颐 |
| 作者单位： | 重庆邮电大学光电工程学院,重庆,400065 |
| 摘 要： | 根据应变理论及脊限深量子阱理论，对确定的In含量的InGaAs材料进行系统的计算，得到激射波长为1064nm激光器的应变量子阱的厚度，并采用金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法生长该应变量子阱，实验结果与设计波长基本一致。 |
| 关 键 词： | InGaAs/GaAs量子阱 量子尺寸效应 应变效应 |
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