| InGaAs/GaAs量子阱双光束发光研究 |
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| 引用本文： | 窦红飞,陆飞,陈效双,李宁,沈学础.InGaAs/GaAs量子阱双光束发光研究[J].半导体学报,1999,20(8):650-655. |
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| 作者姓名： | 窦红飞 陆飞 陈效双 李宁 沈学础 |
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| 作者单位： | 红外物理国家实验室!中国科学院上海技术物理研究所上海200083(窦红飞，陆飞，陈效双，李宁)，红外物理国家实验室!中国(沈学础) |
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| 摘 要： | 本文报道采用双光束光致发光手段研究Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ／ＧａＡｓ本征样品及４种不同位置δ掺杂样品．观察到了由ＨｅＮｅ激光导致的激光强度随附加的第二束激发光（白光）强度变化而演变的现象．实验结果显示，未掺杂样品的光致发光增量较大；单边、双边掺杂样品的光致发光强度变化趋势一致；而阱中中心掺杂、界面掺杂样品随着白光强度的增强出现饱和趋势．应用光生载流子从表面到阱中在不同样品中的输运过程和辐射复合与非辐射复合的机制解释了上述现象
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| 关 键 词： | 量子阱 双光束发光 砷化镓 砷镓铟化合物 |
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