简化的双极工艺

贝尔实验室将双极工艺中六至七道掩蔽工序简化成三道。它省掉了独立的隔离扩散。在轻硼掺杂的 P 型衬底上扩散一窄的 P 型基区。在整个片上生长二氧化硅,进行第一次形成发射区和集电区的掩蔽,然后腐蚀。再通过基区扩散磷掺杂的发射区和集电区(n 型)。随之除去剩下的全部氧化层,生长另一层。第二次掩蔽限定发射极、基极和集电极的接触窗。在整个表面上淀积金属,然后腐蚀,留下第三次掩蔽限定的金属接触线路。加上梁式引线,再用氮化物钝化。