| nc-Si/SiO2多层膜的制备及蓝光发射 |
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| 作者姓名： | 隋妍萍 马忠元 陈坤基 李伟 徐骏 黄信凡 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京 210093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金、国家重点基础研究发展规划（批准号：10174035,90101020和2001CB610503）和江苏省自然科学基金（批准号：BK2001028和BG2001002）资助的课题. |
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| 摘 要： | 在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,采用a-Si∶H层淀积与原位等离子体氧化相结合的逐层生长的方法成功制备出a-Si∶H/SiO2多层膜 (ML);利用限制性结晶原理通过两步退火处理使a-Si∶H层晶化获得尺寸可控的nc-Si/SiO2 ML,并观察到室温下的蓝光发射;结合Raman散射和剖面透射电子显微镜技术分析了nc-Si/SiO2 ML的结构特性;通过对晶化样品光致发光谱和紫外-可见光吸收谱的研究,探讨了蓝光发射的起源.
关键词：
纳米硅多层膜
等离子体氧化
蓝光发射
热退火
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| 关 键 词： | 纳米硅多层膜 等离子体氧化 蓝光发射 热退火 |
| 文章编号： | 1000-3290(2003)04-0989-04 |
| 收稿时间： | 2002-07-15 |
| 修稿时间： | 2002-09-09 |
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