分数维方法研究Alx Ga1-x As衬底上GaAs薄膜中极化子特性随Al浓度的变化 |
| |
作者姓名: | 严亮星 田强 |
| |
作者单位: | 北京师范大学物理学系,100875,北京;北京师范大学物理学系,100875,北京 |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(10574011,10974017) |
| |
摘 要: | 用分数维方法研究AlxGa1-x As衬底上GaAs薄膜中的极化子,得到了衬底中Al摩尔分数x对GaAs薄膜中极化子的结合能和有效质量的影响,极化子的结合能和有效质量的相对变化(mass shift)都随着Al摩尔分数的增大而单调增大;AlxGa1-x As衬底中Al摩尔分数对不同厚度的GaAs薄膜中极化子的影响程度不同,GaAs薄膜的厚度越小,衬底中Al摩尔分数对GaAs薄膜中极化子的影响越显著.
|
关 键 词: | 极化子 GaAs薄膜 分数维 |
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录! |
|