| 利用表面活性剂有效去除ULSI衬底硅片表面吸附颗粒 |
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| 引用本文： | 古海云,刘玉岭.利用表面活性剂有效去除ULSI衬底硅片表面吸附颗粒[J].电子器件,2000,23(4):298-302. |
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| 作者姓名： | 古海云 刘玉岭 |
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| 作者单位： | 河北工业大学 天津 300130 |
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| 摘 要： | 利用表面活性剂特性，通过改变硅片和颗粒表面ζ－电势来改变硅片表面和颗粒间静电力极性，有效地控制硅片表面颗粒吸附状态长期处于易清洗的物理吸附状态，在微电子清洗技术上实现了重要突破。
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| 关 键 词： | 表面吸附颗粒 表面活性剂 ULSI 衬底硅片 |
| 文章编号： | 1005-9490(2000)04-298-05 |
| 修稿时间： | 2000年6月13日 |
Removing Particles from Si Wafers by Adding Surfactants |
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| GU Hai yun,LIU Yu ling.Removing Particles from Si Wafers by Adding Surfactants[J].Journal of Electron Devices,2000,23(4):298-302. |
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| Authors: | GU Hai yun LIU Yu ling |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si wafer adsorption particles nonionic surfactant| |
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