| 硼掺杂对用于SHJ太阳电池的nc-Si∶H薄膜微结构的影响 |
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| 引用本文： | 乔治,解新建,刘辉,梁李敏,郝秋艳,刘彩池.硼掺杂对用于SHJ太阳电池的nc-Si∶H薄膜微结构的影响[J].人工晶体学报,2015,44(4):933-938. |
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| 作者姓名： | 乔治 解新建 刘辉 梁李敏 郝秋艳 刘彩池 |
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| 作者单位： | 河北工业大学材料学院,天津300130;石家庄铁道大学数理系,石家庄050043;河北工业大学材料学院,天津,300130 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)(2012AA050301);河北省教育厅科研计划(Z2010304) |
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| 摘 要： | 采用RF-PECVD法在低温低功率密度下制备了p型nc-Si∶H薄膜,并系统地研究了硼掺杂对薄膜微结构及光电性能的影响.结果表明:由于“硼掺杂效应”,随着掺硼比的增大,nc-Si∶H薄膜的晶化率逐渐降低,晶粒尺寸减小,薄膜的择优取向由111]变为220];光学带隙逐渐减小,电导率则先升后降;本实验中薄膜的最优掺杂比为0.3;.以优化后的p型nc-Si∶H薄膜做窗口层,SHJ太阳电池的性能得到明显改善,获得了效率为14.1;的电池.
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| 关 键 词： | RF-PECVD nc-Si∶H薄膜 硼掺杂 SHJ太阳能电池 |
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