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BCCD沟道电势直流测试方法研究
引用本文:汪凌,韩恒利,任利平,廖晓航,柳益,苏玉棉,岳志强.BCCD沟道电势直流测试方法研究[J].半导体光电,2011,32(4):489-491.
作者姓名:汪凌  韩恒利  任利平  廖晓航  柳益  苏玉棉  岳志强
作者单位:重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060
摘    要:提出了一种对BCCD(埋沟电荷耦合器件)沟道电势的直流测试方法,并对此进行了理论分析和实验研究,该方法能快速、准确地进行BCCD沟道电势测试,确定BCCD随栅压变化的沟道电势曲线。实验结果表明,选取宽长比为11/5的NMOS管、源电流为0.01μA的测试条件,能够很好地模拟BCCD的工作状态。通过对1 024×1 024可见光BCCD进行验证测试,证实该方法可靠。

关 键 词:BCCD  沟道电势  测试

Research on DC Testing Methods of BCCD Channel Potential
WANG Ling,HAN Hengli,REN Liping,LIAO Xiaohang,LIU Yi,SU Yumian,YUE Zhiqiang.Research on DC Testing Methods of BCCD Channel Potential[J].Semiconductor Optoelectronics,2011,32(4):489-491.
Authors:WANG Ling  HAN Hengli  REN Liping  LIAO Xiaohang  LIU Yi  SU Yumian  YUE Zhiqiang
Institution:(Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,CHN)
Abstract:
Keywords:BCCD  channel potential  testing
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