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| Si基SiC微通道及其制备工艺 | |
| 引用本文： | 王亮,孙国胜,刘兴昉,赵永梅,宁瑾,王雷,赵万顺,曾一平,李晋闽.Si基SiC微通道及其制备工艺[J].微纳电子技术,2008,45(8). |
| 作者姓名： | 王亮 孙国胜 刘兴昉 赵永梅 宁瑾 王雷 赵万顺 曾一平 李晋闽 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院,半导体研究所,材料中心,北京,100083;中国科学院,传感技术国家重点实验室,北京,100083 2. 中国科学院,半导体研究所,材料中心,北京,100083 3. 中国科学院,传感技术国家重点实验室,北京,100083 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划) |
| 摘 要： | 提出了一种用于MEMS的硅基SiC微通道(阵列)及其制备方法,它涉及半导体工艺加工硅晶片和化学气相淀积方法制备SiC。在Si(100)衬底上用半导体工艺刻蚀出凹槽微结构,凹槽之间留出台面,凹槽和台面的几何尺寸(深度、宽度、长度)及其分布方式根据需要而定,此凹槽微结构用作制备SiC微通道的模板;用化学气相淀积方法在模板上制备一厚层SiC材料,此层SiC不仅完全覆盖衬底表面的微结构包括凹槽和台面,还在凹槽顶部形成封闭结构,这样就在衬底上形成了以凹槽为模板的SiC微通道(阵列)。对淀积速率与微通道质量之间的关系进行初步分析,发现单纯地提高淀积速率不利于获得高质量的微通道。 |
| 关 键 词： | 微流体 微通道 碳化硅 化学气相沉积 模板 单体 |
Preparation of SiC Microfluidic Channels on Silicon Substrate |
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| Wang Liang,Sun Guosheng,Liu Xingfang,Zhao Yongmei,Ning Jin,Wang Lei,Zhao Wanshun,Zeng Yiping,Li Jinmin.Preparation of SiC Microfluidic Channels on Silicon Substrate[J].Micronanoelectronic Technology,2008,45(8). | |
| Authors: | Wang Liang Sun Guosheng Liu Xingfang Zhao Yongmei Ning Jin Wang Lei Zhao Wanshun Zeng Yiping Li Jinmin |
| Institution: | Wang Lianga,b,Sun Guoshenga,Liu Xingfanga,Zhao Yongmeia,Ning Jinb,Wang Leia,Zhao Wanshuna,Zeng Yipinga,Li Jinmina(a.Novel Semiconductor Material Laboratory,Institute of Semiconductors,b.State Key Laboratory of Transducer Technology,CAS,Beijing 100083,China) |
| Abstract: | A silicon-based SiC micro-fluidic channels and its preparation method were introduced,which involes the silicon-based semiconductor process and SiC preparation by chemical vapor deposition (CVD).The grooves with different geometric dimensions (depth,width and length) and distributions were etched on a silicon substrate by anisotropic inductively coupled plasma (ICP),and the grooves were used for the template of SiC micro-fluidic channel.A thick layer of SiC materials was deposited on the silicon template by... |
| Keywords: | microfluidic microchannels SiC CVD (chemical vapor deposition) template monomer |
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