| 氮化镓研制中的退火技术 |
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| 引用本文： | 张会肖,武喜龙,杨红伟,张荣桂.氮化镓研制中的退火技术[J].微纳电子技术,2001,38(3):27-32. |
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| 作者姓名： | 张会肖 武喜龙 杨红伟 张荣桂 |
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| 作者单位： | 电子十三所,河北,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 总结了 Ga N薄膜生长和器件制备中退火技术的应用情况 ,其中涉及退火工艺过程、作用机理以及由此产生的影响。
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| 关 键 词： | GaN 退火 p型掺杂 欧姆接触 整流接触 |
| 文章编号： | 1001-5507(2001)03-0027-06 |
| 修稿时间： | 2001年4月20日 |
Study of GaN annealing technology |
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| ZHANG Hui-xiao,WU Xi-long,YANG Hong-wei,ZHANG Rong-gui.Study of GaN annealing technology[J].Micronanoelectronic Technology,2001,38(3):27-32. |
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| Authors: | ZHANG Hui-xiao WU Xi-long YANG Hong-wei ZHANG Rong-gui |
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| Abstract: | The annealing technologies in the processes of GaN film growth and the device fabrication are presented in this paper.The technique procedure,mechanism and influence of annealing are all included. |
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| Keywords: | GaN annealing p-doping ohmic contact rectifying contact |
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