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自由电子能带模型中的平均键能与费米能级
引用本文:郑永梅,王仁智,蔡淑惠,何国敏,李书平.自由电子能带模型中的平均键能与费米能级[J].半导体光电,1999,20(2):3.
作者姓名:郑永梅  王仁智  蔡淑惠  何国敏  李书平
作者单位:厦门大学,厦门,361005
基金项目:高等学校博士学科点专项科研项目,福建省自然科学基金 
摘    要:根据半导体自由电子能带模型,采用能带本征值的布里渊区求和而得到费米能级的方法,其结果有助于了解异质结带阶理论计算中所采用的参考能级“平均键能 Em”的物理意义

关 键 词:费米能级  平均键能  异质结

Average bond energy and Fermi level on free electronic band model
ZHENG Yongmei,WANG Renzhi,CAI Shuhui,HE Guomin,LI Shuping.Average bond energy and Fermi level on free electronic band model[J].Semiconductor Optoelectronics,1999,20(2):3.
Authors:ZHENG Yongmei  WANG Renzhi  CAI Shuhui  HE Guomin  LI Shuping
Abstract:On the basis of free-electronic band model,the Fermi energy is calculated by summation of the band eigenvalues over Brillouin Zone.The results may lead to understand the physical concept of the average-bond-energy model in the calculation of valence-band theory for heterojunctions.
Keywords:Fermi Level  Average Bond Energy  Heterojunction
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