| 双靶共溅射制备AZO薄膜的光电性能研究 |
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| 引用本文： | 冯媛媛,邓军,许晓芳,贺鑫,宋钊.双靶共溅射制备AZO薄膜的光电性能研究[J].半导体光电,2021,42(5):656-661. |
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| 作者姓名： | 冯媛媛 邓军 许晓芳 贺鑫 宋钊 |
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| 作者单位： | 北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室,北京100124 |
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| 摘 要： | 采用双靶共溅射的方法制备了光电性能较好的掺Al氧化锌(AZO)薄膜,利用X射线衍射仪、霍尔测试仪、SEM等多种技术手段研究了不同的Al溅射功率和快速退火条件对AZO薄膜的影响,发现AZO薄膜在Al溅射功率为15W、退火温度为400℃时性能最佳.当A1溅射功率为15W时,其电阻率最低为6.552×10-4 Ω·cm,可见光波段(400～700 nm)平均透过率超过92％.随着Al溅射功率的增大,可见光波段的透过率逐渐减小,红外波段(2.5～20 μm)的透过率逐渐增大,最大为40％.
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| 关 键 词： | AZO薄膜 双靶共溅射 Al溅射功率 快速退火 红外 |
| 收稿时间： | 2021/6/16 0:00:00 |
Study on Optical and Electrical Properties of AZO Films Prepared by Co-sputtering with Two Targets |
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| FENG Yuanyuan,DENG Jun,XU Xiaofang,HE Xin,SONG Zhao.Study on Optical and Electrical Properties of AZO Films Prepared by Co-sputtering with Two Targets[J].Semiconductor Optoelectronics,2021,42(5):656-661. |
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| Authors: | FENG Yuanyuan DENG Jun XU Xiaofang HE Xin SONG Zhao |
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| Institution: | Key Laboratory of Optoelectronic Technology, Ministry of Education, Faculty of Information, Beijing University of Technology, Beijing 100124, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AZO film dual target co-sputtering Al sputtering power rapid annealing infrared |
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