| 透明导电氧化物β-Ga2O3 单晶生长的研究进展 |
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| 引用本文： | 张俊刚,夏长泰,吴锋,裴广庆,徐军.透明导电氧化物β-Ga2O3 单晶生长的研究进展[J].人工晶体学报,2005,34(4):676-681. |
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| 作者姓名： | 张俊刚 夏长泰 吴锋 裴广庆 徐军 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800 |
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| 基金项目： | 中国科学院“百人计划”资助项目;国家教育部留学回国人员启动资金基金资助项目 |
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| 摘 要： | 本文对β-Ga2O3单晶体的研究情况进行了综合,主要介绍了β-Ga2O3单晶体的生长方法:Verneuil法、提拉法和浮区法生长技术,并简单介绍了β-Ga2O3单晶体的光学和电学性质及其在GaN衬底方面的应用.β-Ga2O3单晶体的优异性质使其可以成为新一代的透明导电材料.
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| 关 键 词： | 透明导电材料 β-Ga2O3单晶体 浮区法 衬底 |
| 文章编号： | 1000-985X（2005）04-0676-06 |
| 收稿时间： | 12 9 2004 12:00AM |
| 修稿时间： | 2004-12-092005-01-17 |
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