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MgB2中Mn元素掺杂引起的无序
引用本文:张尚明,石磊,张华荣. MgB2中Mn元素掺杂引起的无序[J]. 低温物理学报, 2008, 30(3)
作者姓名:张尚明  石磊  张华荣
作者单位:1. 中国科学技术大学微尺度物质科学国家实验室,合肥,230026
2. 河南大学物理与光电子信息学院,开封,475001
基金项目:科技部资助项目,国家自然科学基金
摘    要:我们合成了Mn掺杂的MgB2的多晶样品Mg1-xM2xB2(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04),并测量了相关的超导电性,发现超导转变温度随着Mn含量的增加急剧下降.晶格常数a、b基本上保持不变,而晶格常数c却随着掺杂量的增加而减小,通过对比Mn、Fe、Al掺杂引起的晶格常数c的变化,我们得出Mn是以三价的形式进人MgB2晶格,Mn掺杂引入的无序导致Raman峰宽随着Mn掺杂量的增加而增大,同时也抵消了Mn3 引入的电子填充效应,从而使Raman峰位并没有随Mn掺杂量的增加而发生明显移动.

关 键 词:Mn掺杂  RAMAN光谱

DISORDER INDUCED BY Mn SUBSTITUION IS THE MgB2 SUPERCONDUCTOR
SHI Lei,ZHANG Shang-ming,ZHANG Hua-rong. DISORDER INDUCED BY Mn SUBSTITUION IS THE MgB2 SUPERCONDUCTOR[J]. Chinese Journal of Low Temperature Physics, 2008, 30(3)
Authors:SHI Lei  ZHANG Shang-ming  ZHANG Hua-rong
Abstract:
Keywords:MgB2
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