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半导体异质结界面能带排列的实验研究
引用本文:卢学坤,王迅.半导体异质结界面能带排列的实验研究[J].物理学进展,2011,11(4):456-482.
作者姓名:卢学坤  王迅
作者单位:复旦大学表面物理实验室;
摘    要:本文综述半导体异质结界面能带排列的实验研究情况。介绍了九种目前已成功用于这方面研究的实验方法,这包括C—V测试、光致发光谱测量和光电子能谱测量,并讨论了Al_xGa_(-x)As/GaAs、InAs/GaSb、Ge/Si和Ge/GaAs等几种典型系统的一些研究结果。

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