半导体异质结界面能带排列的实验研究 |
| |
引用本文: | 卢学坤,王迅.半导体异质结界面能带排列的实验研究[J].物理学进展,2011,11(4):456-482. |
| |
作者姓名: | 卢学坤 王迅 |
| |
作者单位: | 复旦大学表面物理实验室; |
| |
摘 要: | 本文综述半导体异质结界面能带排列的实验研究情况。介绍了九种目前已成功用于这方面研究的实验方法,这包括C—V测试、光致发光谱测量和光电子能谱测量,并讨论了Al_xGa_(-x)As/GaAs、InAs/GaSb、Ge/Si和Ge/GaAs等几种典型系统的一些研究结果。
|
关 键 词: | 无 |
|
| 点击此处可从《物理学进展》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《物理学进展》下载免费的PDF全文 |
|