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| 半导体氮化铟(InN)的电学性质 | |
| 引用本文： | 潘葳,沈文忠,小川博司,郭其新.半导体氮化铟(InN)的电学性质[J].物理学进展,2011,24(2):195-215. |
| 作者姓名： | 潘葳 沈文忠 小川博司 郭其新 |
| 作者单位： | 上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室;上海市华山路1954号; 上海 200030 佐贺大学理工学部电气与电子工程系, 佐贺840O8502 , 日本 |
| 摘 要： | 本文总结了近年来半导体InN薄膜材料(主要是六方纤锌矿结构的InN及异质结构)的电学性质研究进展,重点内容为InN的载流子浓度和迁移率,造成InN中高电子浓度现象的施主分析、载流子输运特性及表面、界面特性等。同时也涉及了部分立方闪锌矿结构InN的电学特性和InN在器件(主要是高电子迁移率晶体管器件)上的潜在应用。 |
| 关 键 词： | 氮化铟（InN） 电学性质 综述 载流子浓度 迁移率 输运 |
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