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分类号
杂志ISSN号
非晶态半导体/金属薄膜的分形晶化
作者姓名:
吴自勤
张人佶
作者单位:
中国科技大学基础物理中心 合肥 230026 清华大学机械系 北京 100084
摘 要:
本文综述非晶态半导体/金属薄膜退火过程中金属诱导非晶态半导体晶化的研究,综述对若干非晶态半导体与金属组成的薄膜(Ge-Au、Ge-Ag、Ge-Al、Ge-Se、Ge-pd、Si-Ag、Si-Al、Si-pd、Si-Cu、sic-Al、Si_3N_4-A1)晶化后形成的图形进行的分形研究,内容包括分形形成的实验规律、根据微结构电镜观测结果提出的随机逐次成核模型、以及对分形晶化进行的计算机模拟。
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无
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