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金属和半导体表面吸附分子的荧光猝灭
引用本文:张兵临,陈晓东. 金属和半导体表面吸附分子的荧光猝灭[J]. 发光学报, 1988, 9(2): 182-184
作者姓名:张兵临  陈晓东
作者单位:1. 郑州大学物理系;2. 深圳大学电子系
摘    要:本文提出了分子吸附于金属或半导体表面呈现荧光猝灭现象的新的理论解释,认为荧光猝灭现象是由于处于激发态的吸附分子和等离子体振荡之间能量迁移的结果。文中并提出了“受迫等离激元”概念。

收稿时间:1987-11-19

FLUORESCENCE QUENCHING OF ADSORBED MOLECULES ON METAL OR SEMICONDUCTOR SURFACE
Zhang Binglin,Chen Xiaodong. FLUORESCENCE QUENCHING OF ADSORBED MOLECULES ON METAL OR SEMICONDUCTOR SURFACE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1988, 9(2): 182-184
Authors:Zhang Binglin  Chen Xiaodong
Affiliation:1. Physics Department, Zhengzhou University;2. Electronics Department, Shenzhen University
Abstract:In this paper, we present a theory of fluorescence quenching of adsorbed molecules on metal or semiconductor surface.We propose that the fluorescence quenching is due to energy transfering from adsorbed molecules to forced plasmon.
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