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| 半导体Q-开关激光器 | |
| 引用本文： | 张庆有,高鼎三.半导体Q-开关激光器[J].半导体光电,1984(4). |
| 作者姓名： | 张庆有 高鼎三 |
| 作者单位： | 吉林大学电子科学系 (张庆有)，吉林大学电子科学系(高鼎三) |
| 摘 要： | 光在波导中传播时,在波导侧向会产生辐射,使得波导内的埸强减弱,即存在侧向埸辐射损耗,其值取决于辐射埸的强度。另一方面,利用侧向辅射埸,可以将一个波导中的光埸耦合到另外一个波导中,而此时又存在一个由耦合系数决定的耦合损耗。所谓侧向埸控制,即指用适当的方法对上述两种损耗 |
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