| MOCVD生长中载气H2对N掺杂ZnO性质的影响 |
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| 引用本文： | 刘雪冬,顾书林,李峰,朱顺明,刘伟,叶建东,单正平,刘少波,汤琨,朱光耀,张荣,郑有炓. MOCVD生长中载气H2对N掺杂ZnO性质的影响[J]. 发光学报, 2008, 29(3) |
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| 作者姓名： | 刘雪冬 顾书林 李峰 朱顺明 刘伟 叶建东 单正平 刘少波 汤琨 朱光耀 张荣 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,江苏,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家自然科学基金 , 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 采用MOCVD方法在石英衬底上生长ZnO。实验使用二乙基锌(DEZn)为锌源,N2O作为氧和氮源,H2作为载气。采用PL和Raman光谱方法对ZnO样品进行表征,结果表明H2的加入大幅度减少薄膜中碳的掺入,明显改善了薄膜的光学质量。采用N2O离化技术,可以进一步提高其带边峰的强度,抑制带内发光。XRD测量表明,生长的ZnO薄膜具有c轴择优取向。目前生长高质量N掺杂的p型ZnO薄膜是很困难的,而H2作为载气的加入明显改善了ZnO薄膜的光学性质,在生长过程中加入H2将为获得高质量N掺杂的p型ZnO薄膜提供一种途径。
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| 关 键 词： | 氧化锌 载气 金属有机源化学气相沉积 离化 |
The Effect of Carrier Gas H2 Used during MOCVD-growth on the Properties of N-doped ZnO |
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| LIU Xue-dong,GU Shu-lin,LI Feng,ZHU Shun-ming,LIU Wei,YE Jian-dong,SHAN Zheng-ping,LIU Shao-bo,TANG Kun,ZHU Guang-yao,ZHANG Rong,ZHENG You-dou. The Effect of Carrier Gas H2 Used during MOCVD-growth on the Properties of N-doped ZnO[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008, 29(3) |
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| Authors: | LIU Xue-dong GU Shu-lin LI Feng ZHU Shun-ming LIU Wei YE Jian-dong SHAN Zheng-ping LIU Shao-bo TANG Kun ZHU Guang-yao ZHANG Rong ZHENG You-dou |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO metal-organic chemical vapor deposition ionization carrier gas |
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