| UHV/CVD生长本征硅外延层的研究 |
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| 引用本文： | 岳磊,陈长春,许军,刘志弘,钱佩信.UHV/CVD生长本征硅外延层的研究[J].微电子学,2006,36(2):132-135. |
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| 作者姓名： | 岳磊 陈长春 许军 刘志弘 钱佩信 |
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| 作者单位： | 清华大学,微电子学研究所,北京,100084 |
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| 摘 要： | 在微波双极型晶体管中,收集区的厚度是影响其截止频率的一个重要因素。普通的常压外延难以生长出杂质浓度变化陡峭的薄外延层。文章利用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统SGE500,在N型(掺As)重掺杂衬底上进行了薄本征硅外延层生长规律的研究;并采用扩展电阻(SPR)、原子力显微镜(AFM)、双晶衍射(DCXRD)等方法,对外延层的质量进行了评价。采用该外延材料制作的锗硅异质结双极型晶体管(SiGe HBT)器件击穿特性良好。
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| 关 键 词： | 超高真空化学气相淀积 锗硅器件 异质结双极型晶体管 本征硅外延 |
| 文章编号： | 1004-3365（2006）02-0132-04 |
| 收稿时间： | 2005-08-16 |
| 修稿时间： | 2005-08-162005-11-01 |
A Study on Intrinsic Silicon Epitaxy by UHV/CVD |
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| YUE Lei,CHEN Chang-chun,XU Jun,LIU Zhi-hong,QIAN Pei-xin.A Study on Intrinsic Silicon Epitaxy by UHV/CVD[J].Microelectronics,2006,36(2):132-135. |
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| Authors: | YUE Lei CHEN Chang-chun XU Jun LIU Zhi-hong QIAN Pei-xin |
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| Institution: | Institute of Microelectronics , Tsinghua University, Beijing 100084, P. R. China |
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| Abstract: | The thickness of collector is one of the factors that limit cut-off frequency in microwave bipolar transistors.APCVD is not applicable for thin epitaxial layer with abrupt concentration profile.In this paper,intrinsic silicon epitaxial layers were grown on N type(As doped) substrate by UHV/CVD,which were then characterized using SPR,AFM and DCXRD methods.SiGe HBT's based on the epitaxial layer exhibit excellent breakdown characteristics. |
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| Keywords: | UHV/CVD SiGe device Heterojunction bipolar transistor Intrinsic silicon epitaxy |
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